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IRLMS5703TRPBF中文资料

IRLMS5703TRPBF图片

IRLMS5703TRPBF外观图

  • 大小:276.4KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, P, 6-TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-2.3A; Package / Case:TSOP; Power Dissipation Pd:1.7W; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:-30V; Voltage Vgs Max:-1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 1.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:170pF @ 25V
  • 功率 - 最大:1.7W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-LSOP(0.063",1.60mm 宽)
  • 供应商设备封装:Micro6?(TSOP-6)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRLMS5703PBFTR

IRLMS5703TRPBF供应商

更新时间:2023-01-18 11:41:37
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